삼성전자

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• 반도체 부문에 3년간 총 190~200조원 투자 예정
• CAPEX 110~120조원, R&D 40조원, M&A 등 기타 자금 40~50조원 추정
• DRAM은 EUV 추가 구매, DDR5 양산 보완투자로 34조원
• NAND는 8세대 V-NAND 양산, eSSD 수요 성장 대비로 35조원
• 비메모리는 파운드리 신공장 가동, CIS 전환 투자 등 41조원
• DRAM 기술 격차 확대, NAND 시장 점유율 확대, 파운드리 신규 고객 확보
  

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• 현재 DRAM 업황 둔화 우려는 반영된 주가
• 올 연말 NAND의 급격한 업황 둔화로 주가의 단기 변동성 확대시킬 것
• 4Q21 중반 넘어가며 DRAM 턴어라운드와 파운드리, NAND 장비 투자 확대가 주가 상승 전환 모멘텀으로 작용될 것